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《科技》三星跳電，利基型DRAM現貨價2天漲10％
受到DRAM大廠三星半導體間歇性跳電影響，DRAM價格出現噴出走勢，利基型DRAM的DDR 512Mb現貨價連續2天大漲，累計漲幅達10％，明顯受到三星8吋廠跳電激勵，而正在進行主流交替的DDR2價格也強勁噴出，均價在今年首度超越主流的DDR3，站上每顆3.15美元。
DRAM現貨報價本周走勢令市場吒舌，原本就已經供需吃緊的價格受到三星跳電的事件激勵，價格強勢反彈，由於三星位於器興的8吋廠以生產DDR1以及靜態隨機存取記憶體，現貨價格也以DDR 512Mb的走勢最為強勁。
根據集邦科技的現貨報價，三星跳電的首日，DDR 512Mb的報價就大漲超過7％，昨（26）日再接續大漲3.6％，均價站上每顆2.24美元，累計2個工作日漲幅就高達10％。
此外在大宗標準型DRAM方面，也出現戲劇性走勢，受到DDR2產能短缺影響，DDR2的漲勢超過DDR3，本周漲幅同樣超過10％，DDR2 1Gb有效測試顆粒價格站上3.15美元，昨單日漲幅達2.4％，而昨日DDR3報價則為3.05美元。
日前創見董事長束崇萬推估，DRAM廠的生產成本落在1.5美元左右，報價在2.5美元至2.6美元時，DRAM廠的毛利率約有30％至40％毛利率，如今現貨市場報價已經達3美元以上，據此推算，以現貨市場為主的DRAM廠，本周已經出現賣一顆賺一顆的盛況。(新聞來源：工商時報─記者李淑惠／台北報導)
DRAM現貨報價本周走勢令市場吒舌，原本就已經供需吃緊的價格受到三星跳電的事件激勵，價格強勢反彈，由於三星位於器興的8吋廠以生產DDR1以及靜態隨機存取記憶體，現貨價格也以DDR 512Mb的走勢最為強勁。
根據集邦科技的現貨報價，三星跳電的首日，DDR 512Mb的報價就大漲超過7％，昨（26）日再接續大漲3.6％，均價站上每顆2.24美元，累計2個工作日漲幅就高達10％。
此外在大宗標準型DRAM方面，也出現戲劇性走勢，受到DDR2產能短缺影響，DDR2的漲勢超過DDR3，本周漲幅同樣超過10％，DDR2 1Gb有效測試顆粒價格站上3.15美元，昨單日漲幅達2.4％，而昨日DDR3報價則為3.05美元。
日前創見董事長束崇萬推估，DRAM廠的生產成本落在1.5美元左右，報價在2.5美元至2.6美元時，DRAM廠的毛利率約有30％至40％毛利率，如今現貨市場報價已經達3美元以上，據此推算，以現貨市場為主的DRAM廠，本周已經出現賣一顆賺一顆的盛況。(新聞來源：工商時報─記者李淑惠／台北報導)
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這個意外發不發生都一樣,我不會亂出功課,之前mail時期也出過功課還記得嗎?
人如果不懂以古鑑今,那會走很多錯路,遺失很多機會,去想想之前要大家做的功課類股,很多都飆翻了
以有所本安心持股角度切入,阿茂我們也沒買多久,輕鬆超過三成獲利...免強算及格吧!
我有跟某人說過,這次功課感動只是少數,只是拿來說服我~ 凡事往好處想....
其實用了多少心思寫,心裡有數,大部分人只想等我推出個股來跟單,會啦~慢慢等啦!
最近一直在換股,而把這則新聞po出,在跟大家說這些...言很重,看得懂的看不懂的...隨興啦~
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