三星大擴廠 DRAM寒流來
2010-05-18 工商時報 【記者涂志豪／台北報導】
全球最大記憶體廠三星電子昨（17）日正式宣佈，今年將投資9兆韓元用來新建月產能達20萬片的12吋廠Line-16，及提升現在12吋廠Line-15製程至30奈米世代。三星新增DRAM及NAND產能將於明年下半年後陸續開出，恐導致此次記憶體市場景氣復甦循環提早結束，而還有負債要還的國內DRAM廠則大受衝擊，包括力晶及茂德股價昨日打入跌停，華亞科也一度跌停。
砸11兆韓元投入半導體
三星昨日正式宣佈2010年資本支出計劃，今年用於半導體及面板的資本支出將大幅調升到18兆韓元（約159.3億美元），其中的11兆韓元（約97.35億美元）將用來投資半導體。三星表示，包括9兆韓元（約79.65億美元）預算將用於投資記憶體事業，與今年初原本預估投入的5.5兆韓元相較，大幅增加了64％。至於另外2兆韓元（約17.7億美元）預算，則用於投資晶圓代工及邏輯晶片事業。
12吋廠Line-16明年投產
根據三星的規劃，記憶體部門的9兆韓元資本支出，將用來興建可生產DRAM、NAND快閃記憶體、包括相變化等次世代記憶體等產品線的12吋廠Line-16，預計該廠將於2011年下半年開始投產，月產能最大將達20萬片，而該廠也將成為全球規模最大的記憶體晶圓廠。
另外，三星也將把現在最先進的12吋廠Line-15進行技術升級，製程開始微縮至30奈米世代，預計年底30奈米DDR3比重就可提升到10％以上。
此外，三星是蘋果iPhone、iPad等內建應用處理器的生產廠商，同時也拿下賽靈思（Xilinx）45奈米及28奈米代工訂單，以及為高通（Qualcomm）代工3G晶片，加上本身亦是LCD驅動IC、數位電視IC等重要供應商，所以三星預計會調撥2兆韓元資金，應用在系統邏輯晶片部門及晶圓代工業務上。
是否擴產，台廠不作回應
三星電子決定投入龐大資本支出擴大記憶體產能及提升技術，震撼了全球記憶體廠。包括力晶、茂德、南科、華亞科等國內業者，均表示會與合作夥伴爾必達、美光等進行更深入的合作，以減少來自三星的激烈競爭壓力；至於是否會跟進擴大資本支出進行產能競爭，業者則多語帶保留不願多作回應。
分析師認為，三星短期之內仍難在晶圓代工市場追上台積電及聯電，但在記憶體上的龐大投資，將會拉大與其它競爭對手的差距。由於台灣DRAM廠仍有龐大的負債需要償還，現階段沒有能力再進行大規模的投資擴產，所以隨著三星新產能在明年下半年後開出，台灣業者恐無法抵抗隨之而來的激烈價格競爭，與合作夥伴間能否有新計劃抵抗韓流來襲，則是後續值得觀察的重點
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