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韓國DRAM大廠拚擴產，2012年市場供給將大增

2010-05-31 【時報記者沈培華台北報導】

繼三星宣布大增資本支出，DRAM二哥海力士跟進調升2010年的資本支出三分之一，至3.05兆韓元(25.5億美元)。海力士並未宣布何時投產，但在DRAM前兩大廠相繼宣布增產，預期一年半後，即2012年市場供給將明顯增加。

DRAM龍頭三星電子剛於5月17日宣布，該公司2010年資本支出將達到創紀錄的18兆韓元(159.3億美元)，其中有11兆韓元將投資在半導體，5兆韓元將投資在液晶面板上面。

海力士在今（31）日也宣布調高今年資本支出，調幅達三分之一，總金額3.05兆韓元（25.5億美元），約為三星電子半導體部門11兆韓元資本支出的五分之一。

海力士並未公布資本支出投資內容以及投產時間表；若按照三星規畫於明年第三季投產，明年第四季小量產出，後年新增產能量產，加上美光聯盟的南科(2408)、華亞科(3474)今、明年相繼提升製程至50、40奈米，以及爾必達、力晶(5346)今明年轉進63、40奈米，逐步增加產出，都將使得DRAM市場整體供給逐步增加，最快2012年面臨供過於求的危機。