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旺宏 開發出3D記憶體

【經濟日報╱記者簡永祥、何易霖／台北報導】 2010.06.25 04:37 am

旺宏（2337）在高容量儲存型快閃記憶體（NAND Flash）獲得重大技術突破，以自有技術，完成3D NAND Flash開發，突破NAND Flash微縮至25奈米以下的物理限制。

旺宏總經理盧志遠昨（24）日表示，旺宏相關技術，已獲有「IC整合技術奧林匹克競賽」之譽的國際大型積體電路（VLSI）大會，評選今年八篇「重要焦點」論文之一，也是台灣唯一獲VLSI列入重要焦點論文的廠商。

盧志遠強調，這項技術成就，等於宣告旺宏已進入IC界號稱「核子俱樂部」的成果，擁有製造強大核子彈的實力。他認為，全球記憶體廠很快會認同旺宏這技術成果，旺宏願意與各記憶體廠洽談專利授權。

盧志遠表示，旺宏以自有的BE-SONOS技術，利用三維記憶體堆疊的方法，幾乎等於用75 奈米製程，就能達25奈米以下製程的效能及成本，容量密度也比傳統高很多，為下世代高容量NAND Flash發展，開啟新的里程碑。旺宏昨天股價下跌0.1元、收在22.4元。

盧志遠表示，旺宏這次在VLSI展示的3D NAND Flash新技術，是採用旺宏自有的RE-SONOS進行八層結構單元的堆疊，幾乎是全世界最小利用三維垂直閘極的NAND Flash，沒有單元記憶體垂直方向相互干擾問題，也具備良好記憶和讀取電流的效能。

旺宏將視市場發展情況，評估是否切入高容量NAND Flash。目前旺宏跨足進軍NAND Flash 仍依客戶要求，先推出較低容量的NAND Flash，不過，以旺宏領先全球獨步開發成功3D NAND Flash的成果，將成為旺宏未來在NAND Flash大展身手的利器。